FCB110N65F

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCB110N65F
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Specifiche:	FCB110N65F.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	17671 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17671 pcs

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Specifiche di FCB110N65F

Modello di prodotti	FCB110N65F	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	17671 pcs	Scheda dati	FCB110N65F.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 3.5mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK
Serie	FRFET®, SuperFET® II	Rds On (max) a Id, Vgs	110 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	357W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	FCB110N65FTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	52 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4895pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V	Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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