FCB260N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCB260N65S3
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK
Specifiche:	FCB260N65S3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	65348 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65348 pcs

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Specifiche di FCB260N65S3

Modello di prodotti	FCB260N65S3	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	65348 pcs	Scheda dati	FCB260N65S3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1.2mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263)
Serie	SuperFET® III	Rds On (max) a Id, Vgs	260 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1010pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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