FCP125N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCP125N65S3
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220
Specifiche:	FCP125N65S3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	38557 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38557 pcs

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Specifiche di FCP125N65S3

Modello di prodotti	FCP125N65S3	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	38557 pcs	Scheda dati	FCP125N65S3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 2.4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	SuperFET® III	Rds On (max) a Id, Vgs	125 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	181W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-220-3
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1940pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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