FCP4N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCP4N60
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
Specifiche:	1.FCP4N60.pdf 2.FCP4N60.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	67759 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67759 pcs

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Specifiche di FCP4N60

Modello di prodotti	FCP4N60	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	67759 pcs	Scheda dati	1.FCP4N60.pdf 2.FCP4N60.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	SuperFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	52 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.9A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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