FCPF125N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCPF125N65S3
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Specifiche:	FCPF125N65S3.pdf
Condizione di scorta	48588 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48588 pcs

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Specifiche di FCPF125N65S3

Modello di prodotti	FCPF125N65S3	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 24A TO220F	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	48588 pcs	Scheda dati	FCPF125N65S3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 2.4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220F
Serie	SuperFET® III	Rds On (max) a Id, Vgs	125 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	38W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1790pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 24A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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