FDB28N30TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDB28N30TM
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Specifiche:	FDB28N30TM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	68183 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68183 pcs

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Specifiche di FDB28N30TM

Modello di prodotti	FDB28N30TM	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	68183 pcs	Scheda dati	FDB28N30TM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK
Serie	UniFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	129 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	FDB28N30TM-ND FDB28N30TMTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	27 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	300V	Descrizione dettagliata	N-Channel 300V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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