FDB8860

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDB8860
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Specifiche:	FDB8860.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	50181 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50181 pcs

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Specifiche di FDB8860

Modello di prodotti	FDB8860	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	50181 pcs	Scheda dati	FDB8860.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	2.3 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	254W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	FDB8860TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12585pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	214nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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