FDC6322C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDC6322C
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Specifiche:	FDC6322C.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5096 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5096 pcs

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Specifiche di FDC6322C

Modello di prodotti	FDC6322C	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5096 pcs	Scheda dati	FDC6322C.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Potenza - Max	700mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V	Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	25V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	220mA, 460mA

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Post-Vendita
Specifiche

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