FDC636P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDC636P
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
Specifiche:	FDC636P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5198 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5198 pcs

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Specifiche di FDC636P

Modello di prodotti	FDC636P	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5198 pcs	Scheda dati	FDC636P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	FDC636P-ND FDC636PTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Ta)

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