FDC645N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDC645N
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Specifiche:	FDC645N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	128610 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 128610 pcs

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Specifiche di FDC645N

Modello di prodotti	FDC645N	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	128610 pcs	Scheda dati	FDC645N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	26 mOhm @ 6.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	FDC645NDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1460pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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