FDD2612

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD2612
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
Specifiche:	FDD2612.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	3969 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3969 pcs

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Specifiche di FDD2612

Modello di prodotti	FDD2612	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	3969 pcs	Scheda dati	FDD2612.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	720 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	42W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	234pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 4.9A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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