FDD5353

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD5353
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
Specifiche:	FDD5353.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	74170 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 74170 pcs

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Specifiche di FDD5353

Modello di prodotti	FDD5353	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	74170 pcs	Scheda dati	FDD5353.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-PAK (TO-252AA)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	12.3 mOhm @ 10.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 69W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FDD5353CT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3215pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 11.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta), 50A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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