FDD5N50UTF_WS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD5N50UTF_WS
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Specifiche:	FDD5N50UTF_WS.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5999 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5999 pcs

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Specifiche di FDD5N50UTF_WS

Modello di prodotti	FDD5N50UTF_WS	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 3A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5999 pcs	Scheda dati	FDD5N50UTF_WS.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-Pak
Serie	FRFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	2 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 3A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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