FDG313N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDG313N
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
Specifiche:	FDG313N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	229047 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 229047 pcs

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Specifiche di FDG313N

Modello di prodotti	FDG313N	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	229047 pcs	Scheda dati	FDG313N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SC-70-6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	750mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Altri nomi	FDG313N-ND FDG313NFSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.3nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	25V
Descrizione dettagliata	N-Channel 25V 950mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	950mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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