FDH3632

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDH3632
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
Specifiche:	FDH3632.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	30147 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30147 pcs

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Specifiche di FDH3632

Modello di prodotti	FDH3632	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	30147 pcs	Scheda dati	FDH3632.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	9 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	310W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	FDH3632-ND FDH3632FS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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