FDMA1027P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMA1027P
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Specifiche:	FDMA1027P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	167728 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 167728 pcs

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Specifiche di FDMA1027P

Modello di prodotti	FDMA1027P	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	167728 pcs	Scheda dati	FDMA1027P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	6-MicroFET (2x2)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Potenza - Max	800mW	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	6-VDFN Exposed Pad	Altri nomi	FDMA1027PDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	435pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3A

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Post-Vendita
Specifiche

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