FDMC0310AS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC0310AS
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
Specifiche:	FDMC0310AS.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	159611 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 159611 pcs

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Specifiche di FDMC0310AS

Modello di prodotti	FDMC0310AS	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	159611 pcs	Scheda dati	FDMC0310AS.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®, SyncFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	4.4 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta), 36W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMC0310ASCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3165pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 19A (Ta), 21A (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 21A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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