FDMC5614P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC5614P
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
Specifiche:	FDMC5614P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	106865 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 106865 pcs

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Specifiche di FDMC5614P

Modello di prodotti	FDMC5614P	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	106865 pcs	Scheda dati	FDMC5614P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	100 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 42W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMC5614PTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	21 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1055pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.7A (Ta), 13.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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