FDMC8010DC

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC8010DC
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2 N-CH 30V 157A 8-PQFN
Specifiche:	FDMC8010DC.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	97921 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 97921 pcs

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Specifiche di FDMC8010DC

Modello di prodotti	FDMC8010DC	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2 N-CH 30V 157A 8-PQFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	97921 pcs	Scheda dati	FDMC8010DC.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-PQFN (3.3x3.3)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.28 mOhm @ 37A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMC8010DC-ND FDMC8010DCOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7080pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 15V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	Standard	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 37A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	37A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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