FDMD8430

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMD8430
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	FET ENGR DEV-NOT REL
Specifiche:	FDMD8430.pdf
Condizione di scorta	41585 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 41585 pcs

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Specifiche di FDMD8430

Modello di prodotti	FDMD8430	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	FET ENGR DEV-NOT REL	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	41585 pcs	Scheda dati	FDMD8430.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-PQFN (3.3x5)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	2.12 mOhm @ 28A, 10V
Potenza - Max	2.1W (Ta), 29W (Tc)	Contenitore / involucro	8-PowerWDFN
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5035pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 28A (Ta), 95A (Tc) 2.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Ta), 95A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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