FDME430NT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDME430NT
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
Specifiche:	FDME430NT.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5499 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5499 pcs

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Specifiche di FDME430NT

Modello di prodotti	FDME430NT	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5499 pcs	Scheda dati	FDME430NT.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	MicroFet 1.6x1.6 Thin
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	40 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-PowerUFDFN	Altri nomi	FDME430NT-ND FDME430NTTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 6A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

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