FDMS3662

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMS3662
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
Specifiche:	FDMS3662.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	66351 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66351 pcs

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Specifiche di FDMS3662

Modello di prodotti	FDMS3662	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	66351 pcs	Scheda dati	FDMS3662.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	14.8 mOhm @ 8.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 104W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	FDMS3662CT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4620pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 8.9A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.9A (Ta), 49A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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