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FDMS8570SDC

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: FDMS8570SDC
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 25V 28A PQFN
Specifiche: FDMS8570SDC.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 66210 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 66210 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
3000 pcs
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Specifiche di FDMS8570SDC

Modello di prodotti FDMS8570SDC fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 25V 28A PQFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 66210 pcs Scheda dati FDMS8570SDC.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 1mA Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore Dual Cool™56
Serie PowerTrench®, SyncFET™ Rds On (max) a Id, Vgs 2.8 mOhm @ 28A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 59W (Tc) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN Altri nomi FDMS8570SDCTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2825pF @ 13V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 25V
Descrizione dettagliata N-Channel 25V 28A (Ta), 60A (Tc) 3.3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount Dual Cool™56 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 60A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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