FDS5672

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDS5672
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Specifiche:	FDS5672.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	64937 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64937 pcs

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Specifiche di FDS5672

Modello di prodotti	FDS5672	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	64937 pcs	Scheda dati	FDS5672.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	10 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	FDS5672-ND FDS5672TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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