FDS8949

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDS8949
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
Specifiche:	FDS8949.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	108450 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 108450 pcs

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Specifiche di FDS8949

Modello di prodotti	FDS8949	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	108450 pcs	Scheda dati	FDS8949.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	29 mOhm @ 6A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	FDS8949DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	955pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 2W Surface Mount 8-SO	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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