FDU8870

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDU8870
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
Specifiche:	FDU8870.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5684 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5684 pcs

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Specifiche di FDU8870

Modello di prodotti	FDU8870	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5684 pcs	Scheda dati	FDU8870.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-251
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	3.9 mOhm @ 35A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5160pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 21A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-251
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Ta), 160A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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