FDZ294N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDZ294N
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
Specifiche:	FDZ294N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5884 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5884 pcs

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Specifiche di FDZ294N

Modello di prodotti	FDZ294N	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5884 pcs	Scheda dati	FDZ294N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	9-BGA (1.5x1.6)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	23 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.7W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	9-VFBGA	Altri nomi	FDZ294N-ND FDZ294NTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

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