FGA40T65SHDF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FGA40T65SHDF
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
Specifiche:	FGA40T65SHDF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	45182 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45182 pcs

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Specifiche di FGA40T65SHDF

Modello di prodotti	FGA40T65SHDF	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	IGBT 650V 80A 268W TO-3PN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	45182 pcs	Scheda dati	FGA40T65SHDF.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	650V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	1.81V @ 15V, 40A
Condizione di test	400V, 40A, 6 Ohm, 15V	Td (on / off) @ 25 ° C	18ns/64ns
di scambio energetico	1.22mJ (on), 440µJ (off)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3PN
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	101ns
Potenza - Max	268W	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-3P-3, SC-65-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo di ingresso	Standard
Tipo IGBT	Trench Field Stop	carica gate	68nC
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN	Corrente - collettore Pulsed (Icm)	120A
Corrente - collettore (Ic) (max)	80A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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