FJNS3213RBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FJNS3213RBU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
Specifiche:	FJNS3213RBU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4258 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4258 pcs

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Specifiche di FJNS3213RBU

Modello di prodotti	FJNS3213RBU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4258 pcs	Scheda dati	FJNS3213RBU.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	TO-92S
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potenza - Max	300mW
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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