FQA34N20

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQA34N20
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
Specifiche:	FQA34N20.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5729 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5729 pcs

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Specifiche di FQA34N20

Modello di prodotti	FQA34N20	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5729 pcs	Scheda dati	FQA34N20.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3P
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	75 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	210W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-3P-3, SC-65-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 34A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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