FQD1P50TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQD1P50TM
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Specifiche:	1.FQD1P50TM.pdf 2.FQD1P50TM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5537 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5537 pcs

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Specifiche di FQD1P50TM

Modello di prodotti	FQD1P50TM	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5537 pcs	Scheda dati	1.FQD1P50TM.pdf 2.FQD1P50TM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-Pak
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	10.5 Ohm @ 600mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 38W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	P-Channel 500V 1.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.2A (Tc)

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Post-Vendita
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