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FQI9N50TU

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: FQI9N50TU
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Specifiche: FQI9N50TU.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 5283 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5283 pcs
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Specifiche di FQI9N50TU

Modello di prodotti FQI9N50TU fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5283 pcs Scheda dati FQI9N50TU.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Serie QFET® Rds On (max) a Id, Vgs 730 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V Descrizione dettagliata N-Channel 500V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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