FQP2N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQP2N60
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
Specifiche:	1.FQP2N60.pdf 2.FQP2N60.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5318 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5318 pcs

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Specifiche di FQP2N60

Modello di prodotti	FQP2N60	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5318 pcs	Scheda dati	1.FQP2N60.pdf 2.FQP2N60.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	4.7 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	64W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 2.4A (Tc) 64W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Tc)

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Post-Vendita
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