FQP47P06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQP47P06
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
Specifiche:	1.FQP47P06.pdf 2.FQP47P06.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	55689 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55689 pcs

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Specifiche di FQP47P06

Modello di prodotti	FQP47P06	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 47A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	55689 pcs	Scheda dati	1.FQP47P06.pdf 2.FQP47P06.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	26 mOhm @ 23.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	12 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 47A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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