HUFA75332G3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	HUFA75332G3
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 55V 60A TO-247
Specifiche:	HUFA75332G3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	55365 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55365 pcs

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Specifiche di HUFA75332G3

Modello di prodotti	HUFA75332G3	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 60A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	55365 pcs	Scheda dati	HUFA75332G3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	UltraFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	19 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	145W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 20V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	55V	Descrizione dettagliata	N-Channel 55V 60A (Tc) 145W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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