IRFM120ATF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFM120ATF
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Specifiche:	1.IRFM120ATF.pdf 2.IRFM120ATF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	187401 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 187401 pcs

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Specifiche di IRFM120ATF

Modello di prodotti	IRFM120ATF	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	187401 pcs	Scheda dati	1.IRFM120ATF.pdf 2.IRFM120ATF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223-4
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	200 mOhm @ 1.15A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	IRFM120ATFTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 2.3A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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