IRLR110ATF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRLR110ATF
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
Specifiche:	IRLR110ATF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5553 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5553 pcs

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Specifiche di IRLR110ATF

Modello di prodotti	IRLR110ATF	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5553 pcs	Scheda dati	IRLR110ATF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-Pak
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	440 mOhm @ 2.35A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 22W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 4.7A (Tc) 2.5W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.7A (Tc)

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Post-Vendita
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