IRLS510A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRLS510A
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 4.5A TO-220F
Specifiche:	IRLS510A.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5119 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5119 pcs

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Specifiche di IRLS510A

Modello di prodotti	IRLS510A	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4.5A TO-220F	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5119 pcs	Scheda dati	IRLS510A.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220F
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	440 mOhm @ 2.25A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	23W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 4.5A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)

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Post-Vendita
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