MJ11030G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MJ11030G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Specifiche:	MJ11030G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4181 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4181 pcs

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Specifiche di MJ11030G

Modello di prodotti	MJ11030G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4181 pcs	Scheda dati	MJ11030G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	90V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	3.5V @ 500mA, 50A
Tipo transistor	NPN - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3
Serie	-	Potenza - Max	300W
imballaggio	Tray	Contenitore / involucro	TO-204AE
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	-	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90V 50A 300W Through Hole TO-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	1000 @ 25A, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	2mA
Corrente - collettore (Ic) (max)	50A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
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