MJE803

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MJE803
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Specifiche:	MJE803.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	4818 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4818 pcs

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Specifiche di MJE803

Modello di prodotti	MJE803	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4818 pcs	Scheda dati	MJE803.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	80V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	2.8V @ 40mA, 2A
Tipo transistor	NPN - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	TO-225AA
Serie	-	Potenza - Max	40W
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	TO-225AA, TO-126-3
Altri nomi	MJE803OS	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	750 @ 2A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100µA	Corrente - collettore (Ic) (max)	4A
Numero di parte base	MJE803

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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