NCP5181DR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NCP5181DR2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
Specifiche:	NCP5181DR2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	83464 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di NCP5181DR2G

Modello di prodotti	NCP5181DR2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	83464 pcs	Scheda dati	NCP5181DR2G.pdf
Tensione di alimentazione -	10 V ~ 20 V	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Tempo di salita / scadenza (Typ)	40ns, 20ns
imballaggio	Original-Reel®	Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi	NCP5181DR2GOSDKR	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso	2	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	26 Weeks
Tensione logica - VIL, VIH	0.8V, 2.3V	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso	Non-Inverting	Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap)	600V
Tipo di porta	N-Channel MOSFET	Configurazione guidata	Half-Bridge
Descrizione dettagliata	Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC	Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)	1.4A, 2.2A
Base-Emitter Tensione di saturazione (max)	Independent	Numero di parte base	NCP5181

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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