NDF02N60ZH

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NDF02N60ZH
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Specifiche:	NDF02N60ZH.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4592 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4592 pcs

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Specifiche di NDF02N60ZH

Modello di prodotti	NDF02N60ZH	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4592 pcs	Scheda dati	NDF02N60ZH.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220FP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	24W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 2.4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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