NDT014

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NDT014
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
Specifiche:	1.NDT014.pdf 2.NDT014.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	195157 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 195157 pcs

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Specifiche di NDT014

Modello di prodotti	NDT014	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	195157 pcs	Scheda dati	1.NDT014.pdf 2.NDT014.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223-4
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	200 mOhm @ 1.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	NDT014CT
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 2.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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