NSVBSP19AT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NSVBSP19AT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Specifiche:	NSVBSP19AT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5922 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5922 pcs

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Specifiche di NSVBSP19AT1G

Modello di prodotti	NSVBSP19AT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 350V 0.1A SOT223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5922 pcs	Scheda dati	NSVBSP19AT1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	350V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	500mV @ 4mA, 50mA
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223 (TO-261)
Serie	-	Potenza - Max	800mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	70MHz	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 800mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	40 @ 20mA, 10V	Corrente - Cutoff collettore (max)	20nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

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Post-Vendita
Specifiche

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