NTD6600N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTD6600N
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Specifiche:	NTD6600N.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5696 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5696 pcs

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Specifiche di NTD6600N

Modello di prodotti	NTD6600N	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 12A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5696 pcs	Scheda dati	NTD6600N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	146 mOhm @ 6A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	1.28W (Ta), 56.6W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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