NTHL065N65S3F

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTHL065N65S3F
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	SUPERFET3 650V TO247
Specifiche:	NTHL065N65S3F.pdf
Condizione di scorta	16438 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di NTHL065N65S3F

Modello di prodotti	NTHL065N65S3F	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	SUPERFET3 650V TO247	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	16438 pcs	Scheda dati	NTHL065N65S3F.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 4.6mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	65 mOhm @ 23A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	337W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-247-3
Altri nomi	NTHL065N65S3F-ND NTHL065N65S3FOS	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	Not Applicable
Stato senza piombo	Lead free	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4075pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V	Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 46A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	46A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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