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NTJD1155LT1

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
NTJD1155LT1 Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: NTJD1155LT1
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Specifiche: NTJD1155LT1.pdf
Stato RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta 5259 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5259 pcs
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Specifiche di NTJD1155LT1

Modello di prodotti NTJD1155LT1 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5259 pcs Scheda dati NTJD1155LT1.pdf
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Potenza - Max 400mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Standard Tensione drain-source (Vdss) 8V
Descrizione dettagliata Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A
Numero di parte base NTJD1155

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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