NTJS3151PT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTJS3151PT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Specifiche:	NTJS3151PT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	583772 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 583772 pcs

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Specifiche di NTJS3151PT1G

Modello di prodotti	NTJS3151PT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	583772 pcs	Scheda dati	NTJS3151PT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.2V @ 100µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	625mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Altri nomi	NTJS3151PT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	43 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	12V	Descrizione dettagliata	P-Channel 12V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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