NTLJS1102PTAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTLJS1102PTAG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Specifiche:	NTLJS1102PTAG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5535 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5535 pcs

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Specifiche di NTLJS1102PTAG

Modello di prodotti	NTLJS1102PTAG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5535 pcs	Scheda dati	NTLJS1102PTAG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	720mV @ 250µA	Vgs (Max)	±6V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-WDFN (2x2)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-WDFN Exposed Pad	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1585pF @ 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	8V	Descrizione dettagliata	P-Channel 8V 3.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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