NTMD2P01R2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMD2P01R2
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Specifiche:	NTMD2P01R2.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	149004 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149004 pcs

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Specifiche di NTMD2P01R2

Modello di prodotti	NTMD2P01R2	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	149004 pcs	Scheda dati	NTMD2P01R2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	100 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Potenza - Max	710mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	NTMD2P01R2OS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 16V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	16V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A

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